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FDT86113LZ

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产品型号
FDT86113LZ
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FDT86113LZ.pdf
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产品型号
FDT86113LZ
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.3A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
100 mOhm @ 3.3A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
6.8nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
315pF @ 50V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2.2W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
SOT-223-4
封装/箱体
TO-261-4, TO-261AA

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