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R6020KNZ1C9

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产品型号
R6020KNZ1C9
制造商
ROHM Semiconductor
描述
NCH 600V 20A POWER MOSFET
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$3.02000
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$3.02000

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产品型号
R6020KNZ1C9
制造商
ROHM Semiconductor
描述
NCH 600V 20A POWER MOSFET
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
20A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
196 mOhm @ 9.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
40nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1550pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
231W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-247
封装/箱体
TO-247-3

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