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SIHB35N60E-GE3

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产品型号
SIHB35N60E-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SIHB35N60E-GE3.pdf
总计:$7.08000
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产品型号
SIHB35N60E-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
32A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
94 mOhm @ 17A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
132nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2760pF @ 100V
FET特点
-
功率耗散(最大)
250W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
D²PAK (TO-263)
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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