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PMDPB56XN,115

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产品型号
PMDPB56XN,115
制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
PMDPB56XN,115.pdf
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产品型号
PMDPB56XN,115
制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.1A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
73 mOhm @ 3.1A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
2.9nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
170pF @ 15V
功率 - 最大
510mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-UDFN Exposed Pad
供应商设备封装
DFN2020-6

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