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PBLS1502V,115

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产品型号
PBLS1502V,115
制造商
NXP Semiconductors
描述
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
PBLS1502V,115.pdf
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产品型号
PBLS1502V,115
制造商
NXP Semiconductors
描述
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
零件状态
Obsolete
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大)
100mA, 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V, 15V
电阻 - 基(R 1)
4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基极(R2)
4.7 kOhms
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce
30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce饱和(最大)@ IB,IC
150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大)
1µA, 100nA
频率 - 转换
280MHz
功率 - 最大
300mW
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-563, SOT-666
供应商设备封装
SOT-666

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