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NTLGD3502NT2G

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产品型号
NTLGD3502NT2G
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.48510
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产品型号
NTLGD3502NT2G
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4.3A, 3.6A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
60 mOhm @ 4.3A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
4nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
480pF @ 10V
功率 - 最大
1.74W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-VDFN Exposed Pad
供应商设备封装
6-DFN (3x3)

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