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NTD4979N-35G

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产品型号
NTD4979N-35G
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
NTD4979N-35G.pdf
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产品型号
NTD4979N-35G
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
9.4A (Ta), 41A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
9 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
16.5nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
837pF @ 15V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
I-PAK
封装/箱体
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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