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IRFHM830DTRPBF

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产品型号
IRFHM830DTRPBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IRFHM830DTRPBF.pdf
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产品型号
IRFHM830DTRPBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
20A (Ta), 40A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
4.3 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.35V @ 50µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
27nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1797pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2.8W (Ta), 37W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PQFN (3x3)
封装/箱体
8-VQFN Exposed Pad

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