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SI1965DH-T1-GE3

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产品型号
SI1965DH-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI1965DH-T1-GE3.pdf
总计:$0.19855
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产品型号
SI1965DH-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
零件状态
Active
FET型
2 P-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1.3A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
390 mOhm @ 1A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
4.2nC @ 8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
120pF @ 6V
功率 - 最大
1.25W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装
SC-70-6 (SOT-363)

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