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STGYA120M65DF2

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产品型号
STGYA120M65DF2
制造商
STMicroelectronics
描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
STGYA120M65DF2.pdf
总计:$11.98000
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$11.98000

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产品型号
STGYA120M65DF2
制造商
STMicroelectronics
描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
零件状态
Active
IGBT类型
NPT, Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
160A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
360A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
1.95V @ 15V, 120A
功率 - 最大
625W
开关能量
1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
420nC
TD(开/关)@ 25℃
66ns/185ns
测试条件
400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
202ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3 Exposed Pad
供应商设备封装
MAX247™

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