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HTNFET-D

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产品型号
HTNFET-D
制造商
Honeywell Aerospace
描述
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
HTNFET-D.pdf
总计:$406.00000
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(以美元)
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$406.00000

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产品型号
HTNFET-D
制造商
Honeywell Aerospace
描述
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
-
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
400 mOhm @ 100mA, 5V
VGS(TH)(最大)标识
2.4V @ 100µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
4.3nC @ 5V
VGS(最大)
10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
290pF @ 28V
FET特点
-
功率耗散(最大)
50W (Tj)
工作温度
-55°C ~ 225°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
8-CDIP-EP
封装/箱体
8-CDIP Exposed Pad

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