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1N5407G A0G

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产品型号
1N5407G A0G
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
1N5407G A0G.pdf
总计:$0.13440
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产品型号
1N5407G A0G
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
800V
电流 - 平均整流(Io)
3A
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
1V @ 3A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
-
电流 - Vr时反向漏电
5µA @ 800V
电容@ Vr,F时
25pF @ 4V, 1MHz
安装类型
Through Hole
封装/箱体
DO-201AD, Axial
供应商设备封装
DO-201AD
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C

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