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EPC2110ENGRT

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产品型号
EPC2110ENGRT
制造商
EPC
描述
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
EPC2110ENGRT.pdf
总计:$1.02200
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产品型号
EPC2110ENGRT
制造商
EPC
描述
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特点
GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压(Vdss)
120V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.4A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
60 mOhm @ 4A, 5V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 700µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
0.8nC @ 5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
80pF @ 60V
功率 - 最大
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Die
供应商设备封装
Die

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