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STLD125N4F6AG

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产品型号
STLD125N4F6AG
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
STLD125N4F6AG.pdf
总计:$1.18088
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产品型号
STLD125N4F6AG
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
120A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
6.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
3 mOhm @ 75A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
91nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
5600pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
130W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PowerFlat™ (5x6) Dual Side
封装/箱体
8-PowerWDFN

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