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IPAN70R900P7SXKSA1

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产品型号
IPAN70R900P7SXKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPAN70R900P7SXKSA1.pdf
总计:$1.10000
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产品型号
IPAN70R900P7SXKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
700V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
6A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
900 mOhm @ 1.1A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.5V @ 60µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
6.8nC @ 10V
VGS(最大)
±16V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
211pF @ 400V
FET特点
-
功率耗散(最大)
17.9W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
PG-TO220 Full Pack
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack

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