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DMP1012UCB9-7

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产品型号
DMP1012UCB9-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET P-CH 8V 10A
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMP1012UCB9-7.pdf
总计:$0.35541
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产品型号
DMP1012UCB9-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET P-CH 8V 10A
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
8V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
10A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
10 mOhm @ 2A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
10.5nC @ 4.5V
VGS(最大)
-6V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1060pF @ 4V
FET特点
-
功率耗散(最大)
890mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
U-WLB1515-9
封装/箱体
9-UFBGA, WLBGA

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