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SI5443DC-T1-GE3

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产品型号
SI5443DC-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI5443DC-T1-GE3.pdf
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产品型号
SI5443DC-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.6A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
65 mOhm @ 3.6A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
600mV @ 250µA (Min)
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
14nC @ 4.5V
VGS(最大)
±12V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
FET特点
-
功率耗散(最大)
1.3W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
1206-8 ChipFET™
封装/箱体
8-SMD, Flat Lead

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