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DMG4468LK3-13

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产品型号
DMG4468LK3-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMG4468LK3-13.pdf
总计:$0.23812
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产品型号
DMG4468LK3-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
9.7A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
16 mOhm @ 11.6A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
1.95V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
18.85nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
867pF @ 15V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1.68W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TO-252-3
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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