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FGL60N100BNTD

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产品型号
FGL60N100BNTD
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 1000V 60A 180W TO264
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FGL60N100BNTD.pdf
总计:$6.78000
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产品型号
FGL60N100BNTD
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 1000V 60A 180W TO264
零件状态
Not For New Designs
IGBT类型
NPT and Trench
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
1000V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
60A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
120A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.9V @ 15V, 60A
功率 - 最大
180W
开关能量
-
输入类型
Standard
栅极电荷
275nC
TD(开/关)@ 25℃
140ns/630ns
测试条件
600V, 60A, 51 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
1.2µs
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-264-3, TO-264AA
供应商设备封装
TO-264-3

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