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SIZF906ADT-T1-GE3

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产品型号
SIZF906ADT-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET DUAL N-CHAN 30V
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SIZF906ADT-T1-GE3.pdf
总计:$0.76391
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产品型号
SIZF906ADT-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET DUAL N-CHAN 30V
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
49nC @ 10V, 200nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
功率 - 最大
4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerWDFN
供应商设备封装
8-PowerPair® (6x5)

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