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QJD1210010

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产品型号
QJD1210010
制造商
Powerex, Inc.
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
QJD1210010.pdf
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产品型号
QJD1210010
制造商
Powerex, Inc.
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压(Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
100A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
25 mOhm @ 100A, 20V
VGS(TH)(最大)标识
5V @ 10mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
500nC @ 20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
10200pF @ 800V
功率 - 最大
1080W
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
供应商设备封装
Module

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