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TPH3205WSB

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产品型号
TPH3205WSB
制造商
Transphorm
描述
GANFET N-CH 650V 36A TO247
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$22.40000
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$22.40000

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产品型号
TPH3205WSB
制造商
Transphorm
描述
GANFET N-CH 650V 36A TO247
零件状态
Not For New Designs
FET型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
36A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
60 mOhm @ 22A, 8V
VGS(TH)(最大)标识
2.6V @ 700µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
42nC @ 8V
VGS(最大)
±18V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2200pF @ 400V
FET特点
-
功率耗散(最大)
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-247-3
封装/箱体
TO-247-3

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