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2SJ661-1E

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产品型号
2SJ661-1E
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 60V 38A
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$2.36000
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$2.36000

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产品型号
2SJ661-1E
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 60V 38A
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
38A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
39 mOhm @ 19A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
80nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
4360pF @ 20V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1.65W (Ta), 65W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-262-3
封装/箱体
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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