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CSD87312Q3E

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产品型号
CSD87312Q3E
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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总计:$0.43120
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产品型号
CSD87312Q3E
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
27A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
33 mOhm @ 7A , 8V
VGS(TH)(最大)标识
1.3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
8.2nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1250pF @ 15V
功率 - 最大
2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商设备封装
8-VSON (3.3x3.3)

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