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DMG1016UDW-7

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产品型号
DMG1016UDW-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMG1016UDW-7.pdf
总计:$0.09600
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产品型号
DMG1016UDW-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
零件状态
Active
FET型
N and P-Channel
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1.07A, 845mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
450 mOhm @ 600mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
0.74nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
60.67pF @ 10V
功率 - 最大
330mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装
SOT-363

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