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IPD65R250E6XTMA1

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产品型号
IPD65R250E6XTMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH TO252-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPD65R250E6XTMA1.pdf
总计:$1.35046
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$1.35046

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产品型号
IPD65R250E6XTMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH TO252-3
零件状态
Last Time Buy
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
16.1A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
250 mOhm @ 4.4A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.5V @ 400µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
45nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
950pF @ 1000V
FET特点
-
功率耗散(最大)
208W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PG-TO252-3
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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