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IPS65R650CEAKMA1

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产品型号
IPS65R650CEAKMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 700V 10.1A IPAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPS65R650CEAKMA1.pdf
总计:$0.43719
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产品型号
IPS65R650CEAKMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 700V 10.1A IPAK
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
700V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
10.1A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
650 mOhm @ 2.1A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.5V @ 210µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
23nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
440pF @ 100V
FET特点
-
功率耗散(最大)
86W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
PG-TO251-3
封装/箱体
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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