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ALD212900APAL

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产品型号
ALD212900APAL
制造商
Advanced Linear Devices, Inc.
描述
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
ALD212900APAL.pdf
总计:$5.96000
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$5.96000

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产品型号
ALD212900APAL
制造商
Advanced Linear Devices, Inc.
描述
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
10.6V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
80mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
14 Ohm
VGS(TH)(最大)标识
10mV @ 20µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
输入电容(CISS)(最大)的Vds
30pF @ 5V
功率 - 最大
500mW
工作温度
0°C ~ 70°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
8-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商设备封装
8-PDIP

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