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SI4931DY-T1-GE3

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产品型号
SI4931DY-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI4931DY-T1-GE3.pdf
总计:$0.47921
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产品型号
SI4931DY-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
零件状态
Active
FET型
2 P-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
6.7A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 350µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
52nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
功率 - 最大
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备封装
8-SO

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