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ZXMN6A09GTA

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产品型号
ZXMN6A09GTA
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
ZXMN6A09GTA.pdf
总计:$0.56925
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产品型号
ZXMN6A09GTA
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
5.4A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
40 mOhm @ 8.2A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
24.2nC @ 5V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1407pF @ 40V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
SOT-223
封装/箱体
TO-261-4, TO-261AA

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