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DMJ70H1D3SI3

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产品型号
DMJ70H1D3SI3
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMJ70H1D3SI3.pdf
总计:$0.95120
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产品型号
DMJ70H1D3SI3
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
700V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4.6A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
13.9nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
351pF @ 50V
FET特点
-
功率耗散(最大)
41W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-251
封装/箱体
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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