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FDG6335N

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产品型号
FDG6335N
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FDG6335N.pdf
总计:$0.24308
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产品型号
FDG6335N
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
700mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
300 mOhm @ 700mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
1.4nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
113pF @ 10V
功率 - 最大
300mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装
SC-88 (SC-70-6)

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