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FGA60N65SMD

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产品型号
FGA60N65SMD
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 650V 120A 600W TO3P
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FGA60N65SMD.pdf
总计:$4.63000
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产品型号
FGA60N65SMD
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 650V 120A 600W TO3P
零件状态
Active
IGBT类型
Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
120A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
180A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.5V @ 15V, 60A
功率 - 最大
600W
开关能量
1.54mJ (on), 450µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
189nC
TD(开/关)@ 25℃
18ns/104ns
测试条件
400V, 60A, 3 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
47ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备封装
TO-3P

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