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APT41M80B2

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产品型号
APT41M80B2
制造商
Microsemi
描述
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$15.70000
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$15.70000

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产品型号
APT41M80B2
制造商
Microsemi
描述
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
43A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
210 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
5V @ 2.5mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
260nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
8070pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1040W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
T-MAX™ [B2]
封装/箱体
TO-247-3 Variant

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