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RJK60S7DPK-M0#T0

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产品型号
RJK60S7DPK-M0#T0
制造商
Renesas Electronics America
描述
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
RJK60S7DPK-M0#T0.pdf
总计:$7.00000
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产品型号
RJK60S7DPK-M0#T0
制造商
Renesas Electronics America
描述
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
30A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
125 mOhm @ 15A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
39nC @ 10V
VGS(最大)
+30V, -20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2300pF @ 25V
FET特点
Super Junction
功率耗散(最大)
227.2W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-3PSG
封装/箱体
TO-3P-3, SC-65-3

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