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STW63N65DM2

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产品型号
STW63N65DM2
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$7.67250
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产品型号
STW63N65DM2
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
65A
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
-
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
-
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
145nC @ 100V
VGS(最大)
-
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
FET特点
-
功率耗散(最大)
-
工作温度
-
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-247
封装/箱体
TO-247-3

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