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R6004JND3TL1

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产品型号
R6004JND3TL1
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.73402
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产品型号
R6004JND3TL1
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
15V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.43 Ohm @ 2A, 15V
VGS(TH)(最大)标识
7V @ 450µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
10.5nC @ 15V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
260pF @ 100V
FET特点
-
功率耗散(最大)
60W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TO-252
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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