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RQ3E180AJTB

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产品型号
RQ3E180AJTB
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
RQ3E180AJTB
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
18A (Ta), 30A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 11mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
39nC @ 4.5V
VGS(最大)
±12V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
4290pF @ 15V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2W (Ta), 30W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
8-HSMT (3.2x3)
封装/箱体
8-PowerVDFN

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