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IPW60R090CFD7XKSA1

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产品型号
IPW60R090CFD7XKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
HIGH POWERNEW
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPW60R090CFD7XKSA1.pdf
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产品型号
IPW60R090CFD7XKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
HIGH POWERNEW
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
25A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
90 mOhm @ 11.4A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4.5V @ 570µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
51nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2103pF @ 400V
FET特点
-
功率耗散(最大)
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
PG-TO247-3
封装/箱体
TO-247-3

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