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DF11MR12W1M1B11BPSA1

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产品型号
DF11MR12W1M1B11BPSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET MOD 1200V 50A
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DF11MR12W1M1B11BPSA1.pdf
总计:$134.36000
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1pcs
$134.36000

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产品型号
DF11MR12W1M1B11BPSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET MOD 1200V 50A
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
50A (Tj)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
22.5 mOhm @ 50A, 15V
VGS(TH)(最大)标识
5.55V @ 20mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
124nC @ 15V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
3680pF @ 800V
功率 - 最大
20mW
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
供应商设备封装
AG-EASY1BM-2

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