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IPG15N06S3L-45

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产品型号
IPG15N06S3L-45
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPG15N06S3L-45.pdf
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产品型号
IPG15N06S3L-45
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
15A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
45 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.2V @ 10µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
20nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1420pF @ 25V
功率 - 最大
21W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
供应商设备封装
PG-TDSON-8-4

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