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BAS516,H3F

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产品型号
BAS516,H3F
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.03060
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产品型号
BAS516,H3F
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
100V
电流 - 平均整流(Io)
250mA
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
1.25V @ 150mA
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
3ns
电流 - Vr时反向漏电
200nA @ 80V
电容@ Vr,F时
0.35pF @ 0V, 1MHz
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SC-79, SOD-523
供应商设备封装
ESC
工作温度 - 结
150°C (Max)

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