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DMTH6016LPSQ-13

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产品型号
DMTH6016LPSQ-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMTH6016LPSQ-13.pdf
总计:$0.25718
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产品型号
DMTH6016LPSQ-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
9.8A (Ta), 37A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
16 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
17nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
864pF @ 30V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PowerDI5060-8
封装/箱体
8-PowerTDFN

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